V族杂质在硅、锗中电离时，能够释放[填空1]而产生[填空2]并形成[填空3]电中心,称它们为[填空4]杂质或n型杂质。该杂质未电离时是中性的,称为[填空5]态或中性态。

本题考查半导体中杂质半导体的基本概念，特别是V族杂质（如磷、砷）在硅、锗中的电离特性。解题关键在于理解：

1. V族杂质的电离过程：V族元素有5个价电子，与四价硅/锗形成共价键后，多余的一个电子容易被激发为自由电子。
2. 电离后的产物：电离时释放自由电子（即导电电子），形成正电中心，因此这类杂质称为施主杂质（n型）。
3. 未电离状态：杂质原子未电离时呈中性，称为束缚态。

填空1：释放的粒子

V族杂质电离时，多余的一个价电子被激发为自由电子，因此填空1为电子。

填空2：产生的导电载体

释放的自由电子参与导电，称为导电电子，填空2为导电电子。

填空3：电中心的电性

电离后，杂质原子失去电子，带正电，形成正电中心，填空3为正。

填空4：杂质类型

能释放电子的杂质称为施主杂质（n型），填空4为施主。

填空5：未电离状态

未电离时，杂质原子的电子被共价键束缚，称为束缚态，填空5为束缚。