超纯Ga（CH3）3是制备第三代半导体的支撑源材料之一，近年来，我国科技工作者开发了超纯纯化、超纯分析和超纯灌装一系列高新技术，在研制超纯Ga（CH3）3方面取得了显著成果，工业上以粗镓为原料，制备超纯Ga（CH3）3的工艺流程如图：粗Ga 高纯Mg-|||-电解精炼 合成-|||-approx (45)^circ C 高纯Ga Ca2Mg5 气体-|||-CH3I,Et2O NR3-|||-合成 ①溶剂蒸发 ①配体交换 超纯Ga(CH3)3-|||-Ca(CH3)3(Et O) ②蒸馏 ②工序X → (纯度 geqslant 99.9999% )-|||-v-|||-残渣知：①金属Ga的化学性质和Al相似，Ga的熔点为29.8℃；②Et2O（乙醚）和NR3（三正辛胺）在上述流程中可作为配体；③相关物质的沸点： 物质 Ga（CH3）3 Et2O CH3I NR3 沸点/℃ 55.7 34.6 42.4 365.8 回答下列问题：（1）晶体Ga（CH3）3的晶体类型是 ____ ；（2）“电解精炼”装置如图所示，电解池温度控制在40～45℃的原因是 ____ ，阴极的电极反应式为 ____ ；粗Ga 高纯Mg-|||-电解精炼 合成-|||-approx (45)^circ C 高纯Ga Ca2Mg5 气体-|||-CH3I,Et2O NR3-|||-合成 ①溶剂蒸发 ①配体交换 超纯Ga(CH3)3-|||-Ca(CH3)3(Et O) ②蒸馏 ②工序X → (纯度 geqslant 99.9999% )-|||-v-|||-残渣（3）“合成Ga（CH3）3（Et2O）”工序中的产物还包括MgI2和CH3MgI，写出该反应的化学方程式 ____ ；（4）“残渣”经纯水处理，能产生可燃性气体，该气体主要成分是 ____ ；（5）下列说法错误的是 ____ ；A.流程中Et2O得到了循环利用B.流程中，“合成Ga2Mg5”至“工序X”需在无水无氧的条件下进行C.“工序X”的作用是解配Ga（CH3）3（NR3），并蒸出Ga（CH3）3D.用核磁共振氢谱不能区分Ga（CH3）3和CH3I（6）直接分解Ga（CH3）3（Et2O）不能制备超纯Ga（CH3）3，而本流程采用“配体交换”工艺制备超纯Ga（CH3）3的理由是 ____ ；（7）比较分子中的C-Ga-C键角大小：Ga（CH3）3 ____ Ga（CH3）3（Et2O）（填“＞”“＜”或“=”），其原因是 ____ 。

超纯Ga（CH₃）₃是制备第三代半导体的支撑源材料之一，近年来，我国科技工作者开发了超纯纯化、超纯分析和超纯灌装一系列高新技术，在研制超纯Ga（CH₃）₃方面取得了显著成果，工业上以粗镓为原料，制备超纯Ga（CH₃）₃的工艺流程如图：

知：①金属Ga的化学性质和Al相似，Ga的熔点为29.8℃；
②Et₂O（乙醚）和NR₃（三正辛胺）在上述流程中可作为配体；
③相关物质的沸点：

物质	Ga（CH3）3	Et2O	CH3I	NR3
沸点/℃	55.7	34.6	42.4	365.8

回答下列问题：
（1）晶体Ga（CH₃）₃的晶体类型是 ____ ；
（2）“电解精炼”装置如图所示，电解池温度控制在40～45℃的原因是 ____ ，阴极的电极反应式为 ____ ；

（3）“合成Ga（CH₃）₃（Et₂O）”工序中的产物还包括MgI₂和CH₃MgI，写出该反应的化学方程式 ____ ；
（4）“残渣”经纯水处理，能产生可燃性气体，该气体主要成分是 ____ ；
（5）下列说法错误的是 ____ ；
A.流程中Et₂O得到了循环利用
B.流程中，“合成Ga₂Mg₅”至“工序X”需在无水无氧的条件下进行
C.“工序X”的作用是解配Ga（CH₃）₃（NR₃），并蒸出Ga（CH₃）₃
D.用核磁共振氢谱不能区分Ga（CH₃）₃和CH₃I
（6）直接分解Ga（CH₃）₃（Et₂O）不能制备超纯Ga（CH₃）₃，而本流程采用“配体交换”工艺制备超纯Ga（CH₃）₃的理由是 ____ ；
（7）比较分子中的C-Ga-C键角大小：Ga（CH₃）₃ ____ Ga（CH₃）₃（Et₂O）（填“＞”“＜”或“=”），其原因是 ____ 。