预测化合物的质子化学位移,以下说法正确的是( )A. 苯环上邻近质子离C=O近,共振在高磁场B. 苯环上邻近质子离C=O近,屏蔽常数大C. 苯环上邻近质子离C=O近,化学位移δ大D. 苯环上邻近质子外围电子云密度大

步骤 1：理解质子化学位移的原理
质子化学位移是核磁共振谱中质子在磁场中的位置，它与质子周围的电子云密度有关。电子云密度越大，质子受到的屏蔽作用越强，化学位移越小，即共振在低磁场；反之，电子云密度越小，质子受到的屏蔽作用越弱，化学位移越大，即共振在高磁场。

步骤 2：分析苯环上邻近质子离C=O近的影响
C=O是一个强吸电子基团，它会吸引苯环上邻近质子周围的电子云，导致这些质子的电子云密度降低，屏蔽作用减弱，因此化学位移增大，即共振在高磁场。

步骤 3：排除其他选项
A选项中，虽然苯环上邻近质子离C=O近，但化学位移增大，共振在高磁场，而不是低磁场，因此A选项错误。
B选项中，苯环上邻近质子离C=O近，屏蔽常数减小，而不是增大，因此B选项错误。
D选项中，苯环上邻近质子外围电子云密度减小，而不是增大，因此D选项错误。