关于氧化速率下面哪种描述是正确的：? 有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低（111）硅比（100）硅氧化得快生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律生长的氧化层较厚时，氧化速率服从线性线规律

本题考查氧化速率的影响因素，需掌握以下关键点：

1. 杂质的影响：某些杂质（如Na、P）可能作为催化剂，加速氧化速率，而非降低。
2. 晶面差异：（100）硅的氧化速率通常快于（111）硅，因表面结构不同导致反应动力学差异。
3. 氧化层厚度与速率规律：氧化初期（层薄）速率与时间呈线性关系，后期（层厚）转为平方根规律（受扩散控制）。

选项逐一分析：

1. 有杂质存在，氧化速率降低
   错误。杂质如Na、P可能降低表面能或促进缺陷形成，反而可能加速氧化。

2. （111）硅比（100）硅氧化得快
   错误。实验表明（100）硅表面更易形成致密SiO₂，氧化速率更快。

3. 氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律
   正确。初期氧化速率由表面化学反应控制，厚度与时间呈线性关系（$t^{\frac{1}{2}}$规律未主导）。

4. 氧化层较厚时，氧化速率服从线性规律
   错误。后期扩散控制占主导，速率遵循平方根规律（$t^{\frac{1}{2}}$）。