题目
下列过程对应的离子方程式正确的是（ ）A. 用氢氟酸刻蚀玻璃：(SiO)_(3)^2-+4F-+6H+═SiF4↑+3H2OB. 用三氯化铁溶液刻制覆铜电路板：2Fe3++3Cu═3Cu2++2FeC. 用硫代硫酸钠溶液脱氯：S2(O)_(3)^2-+2Cl2+3H2O═2(SO)_(3)^2-+4Cl-+6H+D. 用碳酸钠溶液浸泡锅炉水垢中的硫酸钙：CaSO4+(CO)_(3)^2-═CaCO3+(SO)_(4)^2-
下列过程对应的离子方程式正确的是（ ）
- A. 用氢氟酸刻蚀玻璃：${SiO}_{3}^{2-}$+4F-+6H+═SiF4↑+3H2O
- B. 用三氯化铁溶液刻制覆铜电路板：2Fe3++3Cu═3Cu2++2Fe
- C. 用硫代硫酸钠溶液脱氯：S2${O}_{3}^{2-}$+2Cl2+3H2O═2${SO}_{3}^{2-}$+4Cl-+6H+
- D. 用碳酸钠溶液浸泡锅炉水垢中的硫酸钙：CaSO4+${CO}_{3}^{2-}$═CaCO3+${SO}_{4}^{2-}$
题目解答
答案
解：A．氢氟酸是弱酸，在写离子方程式时不能拆开，用氢氟酸刻蚀玻璃正确离子方程式为：SiO2+4HF═SiF4↑+2H2O，故A错误；
B．用三氯化铁溶液刻制覆铜电路板不会产生铁单质，正确离子方程式为：2Fe3++Cu═Cu2++2Fe2+，故B错误；
C．用硫代硫酸钠溶液脱氯会生成硫酸根离子，用硫代硫酸钠溶液脱氯正确离子方程式为：S2${O}_{3}^{2-}$+4Cl2+5H2O═2${SO}_{4}^{2-}$+8Cl-+10H+，故C错误；
D．用碳酸钠溶液浸泡锅炉水垢中的硫酸钙会生成碳酸钙，离子方程式为：CaSO4+${CO}_{3}^{2-}$═CaCO3+${SO}_{4}^{2-}$，故D正确；
故选：D。
B．用三氯化铁溶液刻制覆铜电路板不会产生铁单质，正确离子方程式为：2Fe3++Cu═Cu2++2Fe2+，故B错误；
C．用硫代硫酸钠溶液脱氯会生成硫酸根离子，用硫代硫酸钠溶液脱氯正确离子方程式为：S2${O}_{3}^{2-}$+4Cl2+5H2O═2${SO}_{4}^{2-}$+8Cl-+10H+，故C错误；
D．用碳酸钠溶液浸泡锅炉水垢中的硫酸钙会生成碳酸钙，离子方程式为：CaSO4+${CO}_{3}^{2-}$═CaCO3+${SO}_{4}^{2-}$，故D正确；
故选：D。
解析
步骤 1：分析选项A
氢氟酸是弱酸，不能拆成离子形式，正确的离子方程式应为：SiO_2+4HF═SiF_4↑+2H_2O。因此，选项A错误。
步骤 2：分析选项B
三氯化铁溶液与铜反应生成铜离子和亚铁离子，正确的离子方程式应为：2Fe^{3+}+Cu═Cu^{2+}+2Fe^{2+}。因此，选项B错误。
步骤 3：分析选项C
硫代硫酸钠与氯气反应生成硫酸根离子，正确的离子方程式应为：S_2${O}_{3}^{2-}$+4Cl_2+5H_2O═2${SO}_{4}^{2-}$+8Cl^{-}+10H^{+}。因此，选项C错误。
步骤 4：分析选项D
碳酸钠与硫酸钙反应生成碳酸钙沉淀和硫酸钠，正确的离子方程式为：CaSO_4+${CO}_{3}^{2-}$═CaCO_3+${SO}_{4}^{2-}$。因此，选项D正确。
氢氟酸是弱酸，不能拆成离子形式，正确的离子方程式应为：SiO_2+4HF═SiF_4↑+2H_2O。因此，选项A错误。
步骤 2：分析选项B
三氯化铁溶液与铜反应生成铜离子和亚铁离子，正确的离子方程式应为：2Fe^{3+}+Cu═Cu^{2+}+2Fe^{2+}。因此，选项B错误。
步骤 3：分析选项C
硫代硫酸钠与氯气反应生成硫酸根离子，正确的离子方程式应为：S_2${O}_{3}^{2-}$+4Cl_2+5H_2O═2${SO}_{4}^{2-}$+8Cl^{-}+10H^{+}。因此，选项C错误。
步骤 4：分析选项D
碳酸钠与硫酸钙反应生成碳酸钙沉淀和硫酸钠，正确的离子方程式为：CaSO_4+${CO}_{3}^{2-}$═CaCO_3+${SO}_{4}^{2-}$。因此，选项D正确。