在硅片制造厂的六个区中,哪个区是进行掺杂的区域()。A. 注入B. 扩散C. 光刻D. 薄膜E. 抛光F. 刻蚀

本题考查半导体制造工艺流程中各区域的功能区分。关键点在于理解掺杂工艺的实现方式及其对应的具体区域。

• 掺杂是通过引入杂质改变硅片导电性的重要步骤，常见方法包括离子注入和扩散法。
• 扩散区（选项B）是通过高温使杂质扩散到硅片内部，是传统掺杂工艺的核心区域。
• 其他选项如注入（A）虽也属于掺杂方法，但题目需结合硅片制造厂典型区域划分判断。

选项分析

1. 注入（A）：属于掺杂方法之一，但通常对应独立的“离子注入机”设备，而非制造厂的“区”。
2. 扩散（B）：通过高温炉实现杂质扩散，是传统掺杂的主要工艺区。
3. 光刻（C）：用于图案化光刻胶，与掺杂无关。
4. 薄膜（D）：负责沉积绝缘层或金属层，与掺杂无直接关系。
5. 抛光（E）：用于表面平整处理，属于机械加工。
6. 刻蚀（F）：去除多余材料，形成电路结构，与掺杂无关。

综上，扩散区（B）是进行掺杂的核心区域。