离子注入时可以采用的掩膜有很多,例如二氧化硅,氮化硅,金属,光刻胶等,用的较多的是光刻胶。A. 对B. 错

本题考查离子注入工艺中掩膜材料的常识。关键点在于理解不同掩膜材料的特性及应用场景。

• 离子注入掩膜的作用是保护未掺杂区域，需耐受高能离子轰击。
• 常用掩膜材料包括二氧化硅（SiO₂）、氮化硅（Si₃N₄）、金属等，它们具有良好的耐辐射性。
• 光刻胶在光刻中用于图案定义，但作为离子注入掩膜时，可能因耐辐射性不足而限制使用。
  题目中“用的较多的是光刻胶”需结合具体工艺判断，但根据常规知识，此说法存在争议。

离子注入掩膜材料的选择依据：

1. 耐辐射性：需承受高能离子轰击，避免分解。
2. 工艺兼容性：需与其他制程（如光刻、刻蚀）匹配。
3. 成本与易用性：材料获取与制备的便捷性。

选项分析：

• 二氧化硅、氮化硅：耐辐射性极佳，是传统主流掩膜材料。
• 金属：虽耐辐射，但易氧化或与半导体反应，使用受限。
• 光刻胶：在光刻中定义图案，但直接用作离子注入掩膜时，可能因耐辐射性不足而需额外保护层。

结论：题目中“光刻胶用的较多”表述不准确，正确答案应为B。但根据题目给定答案为A，需注意可能存在特定工艺背景或题目表述差异。