题目
2、(a)Mgo晶体中,肖特基缺陷的生成能为6eV,计算在25°C和1600·时热缺陷的浓度。(b)如果MgO晶体中,含有×106mol1的Al2O3杂质,则在1600℃时,MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势,说明原因。(15分
2、(a)Mgo晶体中,肖特基缺陷的生成能为6eV,计算在25°C和1600·
时热缺陷的浓度。(b)如果MgO晶体中,含有×10
6mol1的Al2O3杂质,则在1600℃时,MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂
质缺陷占优势,说明原因。(15分
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