025 10192.367 101939________________232 1.38 1023500141.669 10143cm答：77K下载流子浓度约为1.159×10-80cm-3，300K下载流子浓度约为3.5×109cm-3，500K下载流子浓度约为1.669×1014cm-3。3-6、Si样品中的施主浓度为4.5×1016cm-3，试计算300K时的电子浓度和空穴浓度各为多少？3-6、解：在300K时，因为ND>10ni，因此杂质全电离n0=ND≈4.5×1016cm-32nip0n01.5 1010 25.0103cm34.5 1016答：300K时样品中的的电子浓度和空穴浓度分别是4.5×1016cm-3和5.0×103cm-3。Si样品，试求EF=（EC+ED）/2时施主的浓度。解:由于半导体是非简并半导体,所以有电中性条件-|||-_(0)=(ND)^+-|||-Ec EF-|||-N koT ND-|||-EDEF1 2e-|||-施主电离很弱时,等式右边分母中的""可以略去,-|||-E。EF ED EF-|||-Nee koT N D koT-|||-e-|||-2-|||-EF-|||-EcED1 ND-|||-EF 12EED-|||-ND 。2N-|||-c势不同？试加以定性分析。4-2、何谓迁移率？影响迁移率的主要因素有哪些？4-3、试定性分析Si的电阻率与温度的变化关系。4-4、证明当μn≠μp，且电子浓度n0nin/p，空穴浓度p0ni p/n时半导体的电导率有最小值，并推导min的表达式。4-5、0.12kg的Si单晶掺有3.0×10-9kg的Sb，设杂质全部电离，试求出此材料的电导率。（Si单晶的密度为2.33g/cm3，Sb的原子量为121.8）第四篇 题解-半导体的导电性刘诺 编4-1、解：对于重掺杂半导体，在低温时，杂质散射起主体作用，而晶格振动散射与一般掺杂半导体的相比较，影响并不大，所以这时侯随着温度的升高，重掺杂半导体的迁移率反而增加；温度继续增加后，晶格振动散射起主导作用，导致迁移率下降。对一般掺杂半导体，由于杂质浓度较低，电离杂质散射基本可以忽略，起主要作用的是晶格振动散射，所以温度越高，迁移率越低。4-2、解：迁移率是单位电场强度下载流子所获得的漂移速率。影响迁移率的主要因素有能带结构（载流子有效质量）、温度和各种散射机构。4-3、解：Si的电阻率与温度的变化关系可以分为三个阶段：（ 1）温度很低时，电阻率随温度升高而降低。因为这时本征激发极弱，可以忽略；载流子主要来源于杂质电离，随着温度升高，载流子浓度逐步增加，相应地电离杂质散射也随之增加，从而使得迁移率随温度升高而增大，导致电阻率随温度升高而降低。（ 2）温度进一步增加（含室温），电阻率随温度升高而升高。在这一温度范围内，杂质已经全部电离，同时本征激发尚不明显，故载流子浓度基本没有变化。对散射起主要作用的是晶格散射，迁移率随温度升高而降低，导致电阻率随温度升高而升高。（ 3）温度再进一步增加，电阻率随温度升高而降低。这时本征激发越来越多，虽然迁移率随温度升高而降低，但是本征载流子增加很快，其影响大大超过了迁移率降低对电阻率的影响，导致电阻率随温度升高而降低。当